pixabay.com/geralt

В России представили оперативную память нового типа, которая способна совершить революцию в мировой IT индустрии.

Российские ученые вместе со своими французскими коллегами удивили весь научный мир уникальными разработками. Специалисты Московского физико-технического института (МФТИ), Института радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова РАН при поддержке Международной ассоциированной лаборатории LIA LICS создали новой тип оперативной памяти (сегнетоэлектрическая энергонезависимая память или MELRAM magnetoelectric RAM). Об этом сообщает «overclockers» со ссылкой на «Applied Physics Letters».

Отмечается, что в перспективе MELRAM способна заменить оперативную память типа DRAM. К ее преимуществам можно отнести более простую структуру строения, низкое энергопотребление и малые размеры. По словам ученых, энергопотребление в несколько тысяч раз меньше всех существующих аналогов.

Базовым элементом нового типа памяти является пьезоэлектрический материал, который способен выдавать напряжение в случае деформации и деформироваться в случае подачи напряжения. Запоминающий элемент MELRAM состоит из сплава тербия и кобальта.

Рейтинг публикации:

40

Ключевые теги: Сделано в России
Комментарии (0) | Распечатать

Добавить новость в: