ООО «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) и МФТИ объявляют о
начале совместной исследовательской программы по разработке и апробации
технологии производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM.
Партнёры направят свои усилия на разработку новых материалов, дизайн
устройств, а также разработку методов их контроля и моделирования.
Успешная реализация программы позволит создать условия для производства
продуктов, использующих технологию STT-MRAM, на мощностях КНЭ.
Магнитная
технология Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory
(STT-MRAM) использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти.
Применение этого эффекта в традиционной магниторезистивной памяти
позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в
ячейку, а также использовать техпроцесс от 90 до 22 нанометров и ниже.
На сегодня все крупнейшие производители динамической оперативной памяти
DRAM имеют свои программы STT-MRAM — данная технология считается
основным кандидатом на замещение DRAM в ближайшем будущем.
«Крокус
НаноЭлектроника» — единственная в Европе и одна из немногих в мире
коммерческая площадка для производства памяти и сенсоров на основе
магнитных туннельных структур, по топологической норме до 90/65
нанометров на пластинах диаметром 300 мм.
«Производственные
мощности нашей компании идеально подходят для создания встроенных или
дискретных продуктов на основе STT-MRAM. Мы ожидаем, что в ближайшее
время у этой технологии появится большой рынок — этому поспособствует
превосходство STT-MRAM по таким показателям, как количество циклов
перезаписи, скорость и энергопотребление. Поэтому мы возлагаем большие
надежды на эту программу», — отмечает генеральный директор «Крокус
НаноЭлектроника» Олег Сютин.
Заместитель заведующего лабораторией
физики магнитных гетероструктур и спинтроники для энергосберегающих
информационных технологий и руководитель работ от МФТИ Дмитрий Лещинер
комментирует: «В МФТИ наработана уникальная экспертиза в исследовании
новых материалов и структур для микроэлектроники. В частности, в нашей
лаборатории развиты одни из самых мощных методов моделирования магнитной
памяти, созданы уникальные экспериментальные стенды для исследования
материалов и устройств спинтроники. Мы ожидаем, что наш вклад и
совместные усилия позволят КНЭ запустить производство STT-MRAM памяти в
России в самое короткое время».
Источник https://mipt.ru/news/mfti_i_po...
