Компания Crocus Technology, один из разработчиков магниторезистивной памяти, сегодня объявила о заключении соглашения о технологическом сотрудничестве и взаимном лицензировании патентов с компанией IBM. Патентное соглашение, предоставляющее взаимный доступ к патентам, позволит компаниям вести совместные разработки в области магнитной памяти, и использовать их результаты в своих полупроводниковых продуктах.
В рамках подписанного технологического соглашения Crocus и IBM смогут объединить преимущества технологии Crocus MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка) и разработок IBM в области магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).
В мае этого года Роснано инвестировала в Crocus Technology 300 млн долларов, в обмен на строительство в России завода по производству чипов MRAM. На данном заводе Crocus и IBM будут выпускать совместную продукцию.
«Соглашение о совместной разработке и патентном лицензировании подтверждает долговременное стремление IBM к инновациям через сотрудничество, — заявил Уильям Галлахер, старший менеджер подразделения по квантовым вычислениям и магнитной памяти компании IBM. — Мы ожидаем плодотворного сотрудничества с Crocus в области развития передовых магнитных полупроводниковых технологий, которые могут увеличить функциональность и повысить производительность полупроводниковых продуктов».
Технология MLU, впервые представленная компанией Crocus в июне 2011 года, основана на архитектуре самоадресации. Она является развитием ранее разработанной Crocus технологии изменения состояния ячейки памяти с использованием локального нагрева (TAS — thermally assisted switching) и позволяет впервые реализовать средствами MRAM не только хранение, но и логическую обработку информации. Эти инновации расширяют рынок для магнитных технологий Crocus, открывая новые возможности для их использования в таких областях, как хранение данных с высокой плотностью, безопасная электронная коммерция, телекоммуникации, обработка данных в сетях высокой пропускной способности, а также высокотемпературная автомобильная и промышленная электроника.
Разработки IBM в области MRAM обладают преимуществами перед конкурирующими технологиями памяти — они отличаются низким потреблением энергии, высокой скоростью, неограниченным количеством циклов чтения и записи, а также энергонезависимостью — сохранением данных при отключении питания. Потенциал MRAM позволит создать компьютеры с мгновенной загрузкой и мобильные устройства с низким энергопотреблением.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Чтобы писать комментарии Вам необходимо зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
» Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации. Зарегистрируйтесь на портале чтобы оставлять комментарии
Материалы предназначены только для ознакомления и обсуждения. Все права на публикации принадлежат их авторам и первоисточникам. Администрация сайта может не разделять мнения авторов и не несет ответственность за авторские материалы и перепечатку с других сайтов. Ресурс может содержать материалы 16+
