Проблему появления физического напряжения в слоях металла на кристаллах кремния при создании микросхем смогли решить специалисты из Японии.
Напряжение можно снять, если нагреть металл до конкретной температуры, однако для этого важно учесть некоторые детали, рассказали ученые Токийского столичного университета. Прогрев должен осуществляться с той силой, которая применяется при изготовлении тугоплавких металлов. Кристаллы кремния не могут выдержать таких показателей и приходят в негодность, передает портал 3DNews.
Эксперименты японских ученых помогли создать новую технологию нанесения металла с низким напряжением в слоях. Для этого необходимо осаждать металл с задержкой посыла импульса смещения на подложку в 60 микросекунд. Это рекордно низкий показатель, однако он помогает создавать в вольфрамовой пленке напряжение 0,03 гПа. Благодаря этому ученые научатся создавать микросхемы нового поколения.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Чтобы писать комментарии Вам необходимо зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
» Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации. Зарегистрируйтесь на портале чтобы оставлять комментарии
Материалы предназначены только для ознакомления и обсуждения. Все права на публикации принадлежат их авторам и первоисточникам. Администрация сайта может не разделять мнения авторов и не несет ответственность за авторские материалы и перепечатку с других сайтов. Ресурс может содержать материалы 16+
