составляет 10–14 нм. Улучшение габаритов позволит размещать
на одном чипе размером с ноготь не 20, а 30 млрд транзисторов, увеличив
тем самым мощность любой техники в два раза. По заявлению разработчика,
5-нм решения на 40% эффективнее существующих на рынке 10-нм чипов, а
энергопотребление ниже на 75% при одинаковой производительности.
Разработка ведётся совместно с корпорацией Samsung и GlobalFoundries.
Последние шесть лет IBM использует архитектуру FinFET. В
данном случае каждый транзистор получает три токопроводящих слоя.
Теперь с поставленной задачей будут справляться кремниевые нанопластины,
которые создаются по методике УФ-литографии. С изменением базы связано и
увеличение количества выходов: их станет четыре.
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Чтобы писать комментарии Вам необходимо зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
» Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации. Зарегистрируйтесь на портале чтобы оставлять комментарии
Материалы предназначены только для ознакомления и обсуждения. Все права на публикации принадлежат их авторам и первоисточникам. Администрация сайта может не разделять мнения авторов и не несет ответственность за авторские материалы и перепечатку с других сайтов. Ресурс может содержать материалы 16+
