Сделать стартовой  |  Добавить в избранное  |  RSS 2.0  |  Информация авторамВерсия для смартфонов
           Telegram канал ОКО ПЛАНЕТЫ                Регистрация  |  Технические вопросы  |  Помощь  |  Статистика  |  Обратная связь
ОКО ПЛАНЕТЫ
Поиск по сайту:
Авиабилеты и отели
Регистрация на сайте
Авторизация

 
 
 
 
  Напомнить пароль?



Клеточные концентраты растений от производителя по лучшей цене


Навигация

Реклама

Важные темы


Анализ системной информации

» » » Российские ученые совершили прорыв в создании материалов для кремниевой спинтроники

Российские ученые совершили прорыв в создании материалов для кремниевой спинтроники


2-01-2017, 20:43 | Наука и техника / Новости науки и техники | разместил: Редакция ОКО ПЛАНЕТЫ | комментариев: (3) | просмотров: (2 229)

Российские ученые совершили прорыв в создании материалов для кремниевой спинтроники

Исследователям из лаборатории новых элементов наноэлектроники Курчатовского центра НБИКС-технологий впервые в мире удалось синтезировать монокристаллические эпитаксиальные пленки EuO непосредственно на кремнии и определить их структурные, электронные и магнитные свойства. Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в журнале Journal of Materials Chemistry C.

До недавнего времени последовательное улучшение характеристик и уменьшение стоимости приборов микроэлектроники достигалось в согласии с законом Мура. Количество транзисторов в интегральных схемах удваивалось каждые два года, пропорционально росла и рабочая частота.

Однако миниатюризация элементов микросхем ведет к тому, что в силу различных фундаментальных физических ограничений перестают работать принципы, положенные в основу действия устройств на основе кремния. В 2003 году закон Мура дал первый сбой, в том году согласно прогнозам аналитического отдела INTEL транзисторы должны были функционировать на частоте 4 ГГц, а к 2007 году на 10 ГГц, но до сих пор процессоры работают на частотах не превышающих 3.2 ГГц.

Чтобы преодолеть этот физический барьер, во всем мире разрабатывают технологии спинтроники, для которых нужно эпитаксиально соединять кремний с ферромагнитным полупроводником. Это означает, что кристаллы полупроводника нужно выращивать непосредственно на кристаллах кремния. Так получаются так называемые эпитаксиальные спиновые контакты.

Один из лучших кандидатов на «верхний» слой «спинтронного бутерброда» — оксид европия. EuO — единственный магнитный бинарный оксидный полупроводник, который может быть термодинамически стабильным в контакте с кремнием. Материал обладает такими важными для спинтроники характеристиками, как стопроцентная поляризация по спину, демонстрирует гигантское магнетосопротивление, а также переход изолятор-металл.

Тем не менее, интегрировать пленки оксида европия с кремниевой подложкой очень сложно: кристаллическая решетка его не совпадает с кристаллической решеткой кремния, кроме этого на начальном этапе роста пленки параллельно с EuO образуются и другие оксиды, а также силициды, что сильно снижает характеристики интерфейса.

«Эти сложности не позволили создание эпитаксиальных спиновых контактов к кремнию до 2016 года, несмотря на значительные усилия более, чем двух десятков экспериментальных групп в Европе, США и Японии, а также существенные материальные инвестиции. Однако нашей группе впервые в мире удалось синтезировать монокристаллические эпитаксиальные пленки EuO непосредственно на кремнии и определить их структурные, электронные и магнитные свойства. Полученные результаты открывают широкие перспективы создания спиновых инжекторов и спиновых транзисторов — элементной базы кремниевой спинтроники», — говорит Сторчак.

Результаты работы по проекту ученые представили в серии статей, вышедших в авторитетных научных журналах, в том числе, Scientific Reports, Nanotechnology, Nanoscale, Applied Materials&Interfaces.



Источник: sdelanounas.ru.

Рейтинг публикации:

Нравится5



Комментарии (3) | Распечатать

Добавить новость в:


 

 
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Чтобы писать комментарии Вам необходимо зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

  1. » #3 написал: ПравдоЛюб (3 января 2017 01:08)
    Статус: Пользователь offline |



    Группа: Посетители
    публикаций 0
    комментария 2253
    Рейтинг поста:
    0
    Цитата: От Алекс Зес:
    Раз душа просит почитайте
    - улыбнуло, от души! wink

    Есть немного проще:
    В представлении многих современная электроника ос-
    нована на использовании эффекта переноса заряда или,
    проще говоря, на использовании электрического тока.


    Суть в общих чертах.


    --------------------
    Не так горько видеть горе от ума, как радость от глупости.

       
     


  2. » #2 написал: ПравдоЛюб (2 января 2017 22:19)
    Статус: Пользователь offline |



    Группа: Посетители
    публикаций 0
    комментария 2253
    Рейтинг поста:
    0
    Цитата: Tuxe Tuxe
    Нет здесь специалистов по микроэлектронике. Хотя бы кто-то растолковал, какие конкретно результаты ожидаются от этого открытия.



    Вот вам это надо? :))))
    Там усе на основе квантовой физики. Потому в двух словах все равно не шуточки. :)


    --------------------
    Не так горько видеть горе от ума, как радость от глупости.

       
     


  3. » #1 написал: Tuxe Tuxe (2 января 2017 22:05)
    Статус: Пользователь offline |



    Группа: Посетители
    публикаций 0
    комментария 63
    Рейтинг поста:
    0
    Нет здесь специалистов по микроэлектронике. Хотя бы кто-то растолковал, какие конкретно результаты ожидаются от этого открытия. Или опять, как всегда: открыли и забыли? Или продали патент? Или всей лабораторией сразу эмигрировали?
    У нас, я слышала, нет материальной и технической базы для производства электроники широкого массового. А малыми партиями получается очень большая себестоимость. Хоть бы автор добавил, какие на сегодня перспективы для отечественной электроники. Это открытие как-то повлияет на развитие у нас этой отрасли?

    От Алекс Зес:
    Раз душа просит почитайте

       
     






» Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации. Зарегистрируйтесь на портале чтобы оставлять комментарии
 


Новости по дням
«    Ноябрь 2024    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123
45678910
11121314151617
18192021222324
252627282930 

Погода
Яндекс.Погода


Реклама

Опрос
Ваше мнение: Покуда территориально нужно денацифицировать Украину?




Реклама

Облако тегов
Акция: Пропаганда России, Америка настоящая, Арктика и Антарктика, Блокчейн и криптовалюты, Воспитание, Высшие ценности страны, Геополитика, Импортозамещение, ИнфоФронт, Кипр и кризис Европы, Кризис Белоруссии, Кризис Британии Brexit, Кризис Европы, Кризис США, Кризис Турции, Кризис Украины, Любимая Россия, НАТО, Навальный, Новости Украины, Оружие России, Остров Крым, Правильные ленты, Россия, Сделано в России, Ситуация в Сирии, Ситуация вокруг Ирана, Скажем НЕТ Ура-пЭтриотам, Скажем НЕТ хомячей рЭволюции, Служение России, Солнце, Трагедия Фукусимы Япония, Хроника эпидемии, видео, коронавирус, новости, политика, спецоперация, сша, украина

Показать все теги
Реклама

Популярные
статьи



Реклама одной строкой

    Главная страница  |  Регистрация  |  Сотрудничество  |  Статистика  |  Обратная связь  |  Реклама  |  Помощь порталу
    ©2003-2020 ОКО ПЛАНЕТЫ

    Материалы предназначены только для ознакомления и обсуждения. Все права на публикации принадлежат их авторам и первоисточникам.
    Администрация сайта может не разделять мнения авторов и не несет ответственность за авторские материалы и перепечатку с других сайтов. Ресурс может содержать материалы 16+


    Map