Ученые НИИ полупроводниковых приборов из Томска, входящего в состав государственного холдинга «Росэлектроника», сообщили о создании твердотельного усилителя мощности 8-мм диапазона длин волн на основе GaN (нитрид галлия) интегральных схем с выходной мощностью более 800 Вт. Запуск новинки в производство начнется в первом квартале 2017 года.

Разработка велась около 5 лет, и полученный в итоге продукт находится на уровне передовых зарубежных аналогов. Создатели твердотельного усилителя мощности говорят, что это «очень перспективный продукт, учитывая его преимущества по сравнению с традиционными для данного частотного диапазона и уровня мощности вакуумными усилителями. Долгое время считалось, что мощные вакуумные лампы в миллиметровом диапазоне заменить нельзя, но наши томские инженеры доказали, что это не так».

Данное изделие используется в радиолокационном оборудовании, и на него уже сформирован заказ от предприятий-потребителей общей стоимостью более 1 миллиарда рублей. В связи с этим в Томске ведется модернизация производственных мощностей НИИ полупроводниковых приборов.

Источник: http://www.tehnoomsk.ru/node/2...

Рейтинг публикации:

0

Комментарии (0) | Распечатать

Добавить новость в: