Сделать стартовой  |  Добавить в избранное  |  RSS 2.0  |  Информация авторамВерсия для смартфонов
           Telegram канал ОКО ПЛАНЕТЫ                Регистрация  |  Технические вопросы  |  Помощь  |  Статистика  |  Обратная связь
ОКО ПЛАНЕТЫ
Поиск по сайту:
Тендеры и госзакупки Маркетинговые исследования Бизнес планы Авиабилеты и отели
Регистрация на сайте
Авторизация

 
 
 
 
  Напомнить пароль?



Обращение к читателям


Навигация

Реклама


Загрузка...

Важные темы
Работа Дмитрия Медведева над «ошибками» страны...
Управление, как реальность: кое-что о Фурсенко, образовании...
Новые реалии методологии управления
Алекс Зес: Тезисы управления
США:У нас мало времени! Час расплаты близок!
Л.Ларуш: Америка рухнет первой. "Мы входим в период бунтов"
Теоретическая география


Анализ системной информации

» » » Российские учёные создали новый метод получения оксида алюминия

» Российские учёные создали новый метод получения оксида алюминия
21-11-2011, 00:29 | Политика / Новости регионов | разместил: Swarm | комментариев: (0) | просмотров: (1 802)

Научный коллектив Московского государственного института электронной техники разработал метод получения нанопористого оксида алюминия, который позволяет создавать целый ряд современнейших материалов для полупроводниковых приборов, в частности фотонные кристаллы. В настоящее время полупроводниковые приборы микроэлектроники создаются главным образом методом оптической литографии – универсальным способом получения изображения элементом микросхемы на кристалле полупроводника.


 Источник фото: karelia.ru




Однако литографические методы довольно дороги, развитие их сдерживается рядом физических и технологических ограничений. Поэтому в настоящее время активно развиваются методы, основанные на использовании самоорганизации и самоформирования.

Один из таких методов – нанопрофилирование (создание рельефа поверхности с наноразмерными элементами) полупроводников путём их плазменного травления с использованием твёрдой маски пористого анодного оксида алюминия. Наглядно этот увлекательный научный процесс можно представить следующим образом: рисунок с полимерного светочувствительного материала переносится на соответствующие слои полупроводниковой структуры, по ходу удаляются немаскированные участки полимера (собственно, этот метод и называется травлением). Для оптимизации этого процесса в структуру маски из оксида алюминия вводят металлический подслой, в частности тонкую плёнку титана. Однако в настоящий момент в научной литературе практически отсутствуют данные, позволяющие подобрать оптимальные конструктивные параметры двухслойной твёрдой маски и контролировать процесс нанопрофилирования полупроводников с её использованием.

Для решения этой проблемы учёные из Московского государственного института электронной техники под руководством А. Н. Белова исследовали процесс создания твёрдой маски пористого оксида алюминия для нанопрофилирования кремния.

В качестве исходных исследователи выбрали кремниевые пластины, на которые с помощью магнетронного распыления нанесли послойно плёнки титана толщиной от 10 до 50 нм и алюминия толщиной 2 мкм. Двухстадийным анодированием (анодирование – электрохимическое окисление алюминия с целью образования на его поверхности оксида металла) алюминиевой плёнки сформировали маску пористого оксида алюминия. Затем полученные структуры подвергали обработке в установке ионного травления в среде аргона. С использованием последовательного и поэтапного анализа структур выявляли их состояние на разных стадиях процесса анодирования, а также после их бомбардировки нейтральными частицами аргона.

Авторы определили оптимальное время анодирования для создания эффективной твёрдой маски пористого оксида алюминия, выявили оптимальную толщину вспомогательного подслоя титана. Кроме того, они показали, что при плазменном травлении кремния через маску оксида алюминия латеральные размеры углублений в кремнии зависят от аспектного отношения пор оксида алюминия. Учёным в ходе данных исследований удалось добиться таких условий, при которых нанопрофилирование кремниевой подложки проходит так, что углубления в ней точно повторяют рисунок пор твёрдой маски оксида алюминия.

Источник информации:

А. Н. Белов, С. А. Гаврилов, Ю. А. Демидов, В. И. Шевяков «Особенности формирования маски пористого анодного оксида алюминия для плазменного локального травления кремния». Российские нанотехнологии, №№11–12, 2011.

17.11.11
Шабельский Алексей



Источник: sdelanounas.ru.

Рейтинг публикации:

Нравится0




Комментарии (0) | Распечатать

Добавить новость в:

 
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 


Загрузка...







» Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
 


Новости по дням
«    Февраль 2020    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 12
3456789
10111213141516
17181920212223
242526272829 

Погода
Яндекс.Погода


Реклама


Загрузка...

Опрос
Как по вашему мнению Украина изменится при президенте Зеленском?




Реклама
Загрузка...

Облако тегов
Аварии и ЧП на АЭС, Акция: Пропаганда России, Америка настоящая, Арктика и Антарктика, Блокчейн и криптовалюты, Воспитание, Высшие ценности страны, Геополитика, Единая Россия, Импортозамещение, ИнфоФронт, Кипр и кризис Европы, Кризис Белоруссии, Кризис Британии Brexit, Кризис Европы, Кризис США, Кризис Турции, Кризис Украины, Кризис в России, Любимая Россия, Навальный, Наука России, Новости Украины, Оружие России, Остров Крым, Правильные ленты, Россия, Сделано в России, Ситуация в Сирии, Ситуация вокруг Ирана, Скажем НЕТ Ура-пЭтриотам, Скажем НЕТ хомячей рЭволюции, Служение России, Солнце, Трагедия Фукусимы Япония, новости, оппозиция, сша, украина, эпидемия

Показать все теги
Реклама


Популярные
статьи



Реклама одной строкой

    Главная страница  |  Регистрация  |  Сотрудничество  |  Статистика  |  Обратная связь  |  Реклама  |  Помощь порталу
    ©2003-2020 ОКО ПЛАНЕТЫ

    Материалы предназначены только для ознакомления и обсуждения. Все права на публикации принадлежат их авторам и первоисточникам.
    Администрация сайта может не разделять мнения авторов и не несет ответственность за авторские материалы и перепечатку с других сайтов. Ресурс может содержать материалы 16+


    Map