• 

В рамках программы импортозамещения специалисты Омского НИИ приборостроения (входит в холдинг «Росэлектроника») разработали и освоили выпуск многослойных плат, выполненных по уникальной технологии LTCC с применением тонких пленок.

Многослойные платы гибридных интегральных схем (ГИС) выполнены по уникальной для российской микроэлектроники комбинированной технологии на основе толстых и тонких пленок. Они обеспечивают повышение эффективности основных характеристик радиотехнических средств и при этом позволяют снизить трудоемкость изготовления устройств.

Многослойные платы ГИС, выполненные по данной технологии, по конструктивным, электрическим и техническим характеристикам превзошли аналогичную продукцию таких фирм, как Epson, CTS Corporation, Golledge Electronics Ltd, Jauch, Fox Electronics, Mini-Circuits, Murata и т. д.

На данный момент разработка полностью завершена. Испытания разработанных трактов ПЧ подтвердили заявленные требования.

Полученных результатов удалось достигнуть путем объединения двух классических технологий на основе толстых и тонких пленок в едином конструктиве без применения дополнительных механических и сборочных операций. Она позволяет встраивать в объем платы пассивные и активные компоненты, в том числе системы на кристалле, что обеспечивает высокую плотность компоновки, и, как следствие, компактность разрабатываемых изделий.

Разработанная технология позволяет реализовать до 30 многослойных тонкопленочных слоев на толстопленочном многослойном основании с разрешением проводник/зазор менее 30 мкм и диаметром переходных отверстий 30 мкм и менее, а также интегрировать пассивные и активные элементы непосредственно в объем многослойной платы ГИС. Данная технология позволит создавать современную элементную базу для построения устройств функциональной микроэлектроники, телекоммуникаций и связи в области высоких и сверхвысоких частот.

АО «ОНИИП» (входит в холдинг «Росэлектроника») проводит исследования в области радиосвязи, ориентированные на решение широкого круга прикладных задач — от создания радиоэлектронных компонентов и устройств радиосвязи до сложнейших автоматизированных комплексов и систем связи и управления.