Компании IBM, Toshiba и AMD на выставке International Electron Devices Meeting в Сан-Франциско представили первую в мире ячейку памяти SRAM, созданную с соблюдением 22-нанометровой технологии, сообщает EE Times. Впервые она была анонсирована в конце августа текущего года. Площадь 22-нанометровой ячейки памяти SRAM составляет 0,128 квадратного микрометра. Ранее площадь самой маленькой ячейки памяти SRAM составляла 0,274 квадратного микрометра. Площадь ячейки SRAM процессоров Intel, выполненных по 45-нанометровому техпроцессу, составляет 0,346 квадратного микрометра.
В основе 22-нанометровой ячейки памяти SRAM лежат транзисторы типа FinFET, созданные по технологии high-k/metal gate. Последняя подразумевает замену диоксида кремния в электроде затвора транзистора на сплав гафния, что позволяет уменьшить размер транзистора.
О том, когда начнется выпуск 22-нанометровой памяти, не сообщается. Вместо этого разработчики подчеркнули, что технология, использованная при производстве 22-нанометровой ячейки памяти, позволит в перспективе уменьшить ее площадь до 0,063 квадратного микрометра.
Модуль памяти SRAM являются частью процессора. Он служит для временного хранения данных, обрабатываемых чипом. (Lenta.ru)
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Чтобы писать комментарии Вам необходимо зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
» Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации. Зарегистрируйтесь на портале чтобы оставлять комментарии
Материалы предназначены только для ознакомления и обсуждения. Все права на публикации принадлежат их авторам и первоисточникам. Администрация сайта может не разделять мнения авторов и не несет ответственность за авторские материалы и перепечатку с других сайтов. Ресурс может содержать материалы 16+
