Сделать стартовой  |  Добавить в избранное  |  RSS 2.0  |  Информация авторамВерсия для смартфонов
           Telegram канал ОКО ПЛАНЕТЫ                Регистрация  |  Технические вопросы  |  Помощь  |  Статистика  |  Обратная связь
ОКО ПЛАНЕТЫ
Поиск по сайту:
Авиабилеты и отели
Регистрация на сайте
Авторизация

 
 
 
 
  Напомнить пароль?



Клеточные концентраты растений от производителя по лучшей цене


Навигация

Реклама

Важные темы


Анализ системной информации

» » » «Росэлектроника» создает новые типы транзисторов

«Росэлектроника» создает новые типы транзисторов


3-11-2016, 16:07 | Наука и техника / Новость дня | разместил: Редакция ОКО ПЛАНЕТЫ | комментариев: (0) | просмотров: (2 166)
gan1
© EPA

«Росэлектроника» приступила к созданию перспективных типов транзисторов, относящихся к самым передовым в мире. Новые разработки открывают большие возможности в развитии мобильной и космической связи, а также уже в ближайшее десятилетие приведут к значительному уменьшению размеров блоков питания, адаптеров, зарядных устройств.

Как заявил гендиректор «Росэлектроники» Игорь Козлов, новые разработки в сфере полупроводников обеспечивают эффективность техники будущего вне зависимости от сферы ее применения.

«Это основа грядущей цифровой эры. Поэтому «Росэлектроника» прилагает все возможные усилия для обеспечения перспективных разработок и превращения их в готовое изделие с высококонкурентными параметрами», – отметил он.

В частности, московский завод «Пульсар», входящий в холдинг, приступил к проектированию транзистора на основе нитрида галлия (GaN) – широкозонном полупроводнике. Специалисты предприятия планируют получить опытные образцы нового изделия уже в 2017 году. Такой транзистор поднимет на новый уровень производство блоков питания различных типов, а также сыграет значимую роль в развитии мобильной и космической связи.
Структуры GaN уже являются основной частью оптоэлектронных приборов, таких как светодиоды и лазеры. Все более широкое применение они находят и в области радио- и силовой электроники – СВЧ-транзисторов, усилителей сигнала, силовых переключательных транзисторов, преобразователей тока и прочих приборов.

Развитие производства мощных переключательных транзисторов, созданных на основе GaN, как ожидается, уже в ближайшее десятилетие приведет к значительному уменьшению габаритов блоков питания, адаптеров, зарядных устройств. В частности, позволят принципиально сократить массу и повысить эффективность электромобилей и гибридов.

В мобильной связи пятого поколения мощные СВЧ-транзисторы на основе GaN позволят увеличить объемы передаваемого трафика за счет большего диапазона частот. На сегодня разработчики завода «Пульсар» совместно с Институтом сверхчастотной полупроводниковой электроники РАН провели работы по созданию приемопередающих модулей в диапазонах 23-25 ГГц и 57-64 ГГц. Это позволит уже в ближайшее время выпускать монолитные интегральные схемы на основе широкозонных полупроводников.

Приборы на основе GaN обладают высокой радиационной стойкостью, что обуславливает их широкое проникновение в отрасль космической связи.

В то же время другое предприятие холдинга – нижегородский «Салют» – приступило к изысканиям в сфере создания, так называемых, спиновых полевых транзисторов (spin – вращение, вращать). Этот тип полупроводниковых приборов отличает высокая скорость переключений между состояниями транзистора и низкое энергопотребление.

Как отмечают специалисты «Росэлектроники», в настоящее время еще нигде в мире не налажено серийное производство спиновых транзисторов.

Основная идея этих приборов заключается в том, что электроны, инжектируемые в канал транзистора, проходят через ферромагнитный «исток», где приобретают определенную поляризацию. Под действием приложенного электромагнитного поля в канале спины электронов испытывают прецессию и подходят к уже ферромагнитному «стоку». Направление поляризации спина электронов определяется приложенным напряжением на затворе. Таким образом, существуют два варианта, когда спин-поляризованный ток проходит через «сток», либо же, когда спинового тока нет.

Идея очень привлекательна в связи с тем, что обещает создание прибора с очень высокой скоростью переключения между состояниями транзистора и низким энергопотреблением прибора. При этом технологически процесс изготовления спиновых транзисторов, как ожидается, подобен технологиям создания традиционных полевых транзисторов, что существенно удешевляет планируемое производство.



Источник: politlife.ru.

Рейтинг публикации:

Нравится16



Комментарии (0) | Распечатать

Добавить новость в:


 

 
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Чтобы писать комментарии Вам необходимо зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.





» Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации. Зарегистрируйтесь на портале чтобы оставлять комментарии
 


Новости по дням
«    Март 2024    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123
45678910
11121314151617
18192021222324
25262728293031

Погода
Яндекс.Погода


Реклама

Опрос
Ваше мнение: Покуда территориально нужно денацифицировать Украину?




Реклама

Облако тегов
Акция: Пропаганда России, Америка настоящая, Арктика и Антарктика, Блокчейн и криптовалюты, Воспитание, Высшие ценности страны, Геополитика, Импортозамещение, ИнфоФронт, Кипр и кризис Европы, Кризис Белоруссии, Кризис Британии Brexit, Кризис Европы, Кризис США, Кризис Турции, Кризис Украины, Любимая Россия, НАТО, Навальный, Новости Украины, Оружие России, Остров Крым, Правильные ленты, Россия, Сделано в России, Ситуация в Сирии, Ситуация вокруг Ирана, Скажем НЕТ Ура-пЭтриотам, Скажем НЕТ хомячей рЭволюции, Служение России, Солнце, Трагедия Фукусимы Япония, Хроника эпидемии, видео, коронавирус, новости, политика, спецоперация, сша, украина

Показать все теги
Реклама

Популярные
статьи



Реклама одной строкой

    Главная страница  |  Регистрация  |  Сотрудничество  |  Статистика  |  Обратная связь  |  Реклама  |  Помощь порталу
    ©2003-2020 ОКО ПЛАНЕТЫ

    Материалы предназначены только для ознакомления и обсуждения. Все права на публикации принадлежат их авторам и первоисточникам.
    Администрация сайта может не разделять мнения авторов и не несет ответственность за авторские материалы и перепечатку с других сайтов. Ресурс может содержать материалы 16+


    Map